☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜
东京大学的研究团队最近在微电子技术方面取得重要进展，成功研制出一种具有革命意义的新型晶体管。该晶体管不再使用传统硅%ign%ignore_a_1%re_a_1%，而是采用掺镓氧化铟能（InGaOx）晶体材料，有望在人工智能与大数据处理领域显著提升计算性能，并为后硅时代延续摩尔定律的发展提供可能。
作为20世纪最重要的发明之一，晶体管是现代电子产品不可或缺的核心元件，主要用于控制和放大电子信号。然而，随着电子设备向更小尺寸和更高速度发展，传统硅基晶体管正遭遇物理极限带来的瓶颈。为了应对这一挑战，东京大学研究团队提出了一项创新性的解决方案。
该团队选用了掺镓氧化铟作为替代材料，这种材料能够形成高度有序的晶体结构，从而有效提升电子迁移效率。新晶体管采用了环绕式栅极（gate-all-around；GAA）结构，栅极完全包裹住电流通道，大幅提高了电子迁移率和器件长期运行的稳定性。
项目核心研究人员陈安兰指出，通过在氧化铟中加入镓元素，团队成功优化了材料的电学性能。实验结果表明，掺镓后的氧化铟可以有效减少氧缺陷问题，从而增强晶体管的整体稳定性。研究人员利用原子层沉积工艺逐层构建InGaOx薄膜，并通过加热手段将其转化为目标晶体结构，最终制成了高性能金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。
据陈安兰介绍，这款环绕式MOSFET实现了高达44.5cm²/Vs的迁移率，并且在应力测试下连续稳定工作近三小时，表现出良好的可靠性。这项成果为满足高运算需求的应用提供了高效、密集的电子元件设计方案，预示着下一代半导体技术将顺利推进，并对人们的日常生活带来深远影响。
以上就是东京大学研发掺镓氧化铟晶体管 突破硅材料瓶颈提升AI效能的详细内容，更多请关注创想鸟其它相关文章！
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。
如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 chuangxiangniao@163.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。
发布者：程序猿，转转请注明出处：https://www.chuangxiangniao.com/p/101130.html
微信扫一扫 
支付宝扫一扫 
