9 月 15 日消息，据台媒《工商时报》援引供应链信息，英伟达正考虑率先采用台积电首个引入背面供电（bspdn）技术的先进制程节点——a16。
报道提到，英伟达上一次使用台积电最先进的制程工艺制造芯片是在110nm时代，即2004年的NV43芯片。此次打破延续二十多年的惯例，显示出英伟达对A16制程强大潜力的高度认可。
台积电在A16节点中应用了名为超级电轨（Super Power Rail, SPR）的技术方案，该技术将供电线路移至晶圆背面，不仅释放了芯片正面的布线空间，还显著改善了电压降问题，同时保持与传统前侧供电相同的栅极密度、版图尺寸以及元件调节灵活性。
相较于台积电第二代2纳米制程N2P，A16在相同电压下性能提升8%至10%，在同等频率下功耗降低15%至20%，芯片密度提高10%，实现了性能、功耗和面积（PPA）的全面优化，特别适合HPC高性能计算芯片的需求。
近年来，台积电先进工艺的首发产品多为移动处理器或加密矿机芯片。而在2纳米节点，AMD凭借“Zen 6”架构的EPYC“Venice”系列打破了这一模式。如今英伟达有望借助A16制程打造继“Rubin”之后的下一代“Feynman”AI GPU，进一步印证了AI与高性能计算已站上全球半导体发展的核心舞台。
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