还是很行的!Intel 18A工艺重要进展:良率已超越三星2nm

7月14日消息,据相关报道,keybanc capital markets发布的分析指出,intel 18a工艺的良率已由上季度的50%提升至55%,在与同行的对比中表现突出。

相较之下,三星当前2nm工艺(SF2)的良率约为40%,而Intel 18A工艺的良率已经超越三星的2nm水平。

尽管仍低于台积电N2工艺的65%,但目前已满足Q4 2025进入高量产阶段(HVM)的要求,并预计届时良率将提高至70%,这将有力推动Intel下一代移动CPU的制造进程。

虽然预测Intel的良率难以赶超台积电,但拥有一项性能优异的制程技术足以满足其业务需求。

Intel 18A工艺的突破不仅推动了自身产品的发展,例如即将面世的Panther Lake系列,还为其未来对外提供代工服务打下了基础。

在18A工艺成功的基础上,Intel计划逐步转向14A工艺,以进一步增强其在高端芯片领域的竞争力。

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