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美光科技于1月8日在新加坡现有工厂旁启动了其首个高带宽内存(HBM)先进封装工厂的建设,并举行了隆重的奠基仪式。该工厂计划于2026年投产,预计从2027年开始大幅提升美光的先进封装产能,以满足日益增长的AI市场需求,并同时支持NAND闪存的长期制造需求。
美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示,AI技术在各行各业的应用蓬勃发展,对先进内存和存储解决方案的需求持续增长。此次投资,在新加坡政府的大力支持下,将进一步巩固美光在AI领域的地位,以应对未来不断扩张的市场机遇。
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据了解,美光在HBM先进封装领域的投资总额约为70亿美元,预计将创造约1400个就业岗位(到2020年及以后),而工厂扩建计划未来还将再创造约3000个就业岗位,涵盖封装开发、组装和测试等多个环节。
此前,美光已公布了下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展,并计划于2026年实现量产。HBM4有望带来业界领先的性能和效率,这对于提升AI计算能力至关重要。
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