三星电子加码存储芯片技术，在平泽二厂（p2）建设10nm第七代dram（1d dram）试验线，以提升竞争力并优化新一代产品的良率。
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜
据悉，该试验线预计2024年第四季度开建，2025年第一季度完工。虽然具体产能尚未公布，但业界推测其月产能约为10000片晶圆。三星计划2025年量产1c DRAM，2026年量产1d DRAM。此举显示三星积极抢占市场先机，力求在2025年保持存储市场领导地位，尤其是在面临SK海力士在高带宽存储器（HBM）领域日益增长的竞争压力下。
三星充分利用其人力和产能优势，加快新产品研发。业内人士分析，新任三星设备解决方案（DS）负责人全英铉的技术背景，使其能直接掌控三星存储技术发展方向，并在DS部门内部推动重大改革。 同时，三星也在加大对NAND闪存技术的投入。
面试猫
AI面试助手，在线面试神器，助你轻松拿Offer
39 查看详情
近期，三星平泽第一工厂（P1）已建成业界首条堆叠400层3D NAND（V10）测试线，P4工厂也引进了堆叠286层（V9）设备。通过在DRAM和NAND技术上的战略布局，三星旨在巩固其在全球存储市场中的技术领先优势。 加快试验线建设和下一代产品量产，彰显了三星在竞争激烈的市场环境中保持领先地位的决心。（校对/李梅）
以上就是三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线的详细内容，更多请关注创想鸟其它相关文章！
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。
如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 chuangxiangniao@163.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。
发布者：程序猿，转转请注明出处：https://www.chuangxiangniao.com/p/381254.html
微信扫一扫 
支付宝扫一扫 
