三星电子启动1c nm制程dram量产设备采购，计划明年2月投入生产！据韩媒zdnet报道，三星电子近期已向泛林集团等半导体设备厂商订购下一代1c nm制程dram的量产设备，预计明年2月运抵位于韩国平泽p4工厂的首条量产线。
虽然三星尚未公开1c nm（第六代10nm级制程）DRAM的相关信息，但据悉其试生产已取得成功，并获得首批合格晶粒。业内人士分析，三星初期投资规模不会过大，主要原因在于1c nm制程DRAM良率仍需进一步提升。待工艺成熟后，三星将追加投资。
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值得关注的是，三星已确认将在下一代HBM4内存中采用1c nm DRAM。1c nm制程的成功与否，将直接影响三星在竞争激烈的HBM内存市场上的竞争力，能否追赶甚至超越SK海力士。
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