北方华创微电子装备有限公司一项关于晶片制造的新专利——“形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置”——已于2024年8月26日公开，申请公布号为cn119132945a。
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜
该专利公开了一种改进的晶片处理方法和装置。 其核心在于使用一个带有倾斜晶片槽的晶片承载装置。 将晶片放置在该装置中后放入工艺腔室，晶片处于倾斜状态，保证沟槽的一侧侧壁最大程度地接触刻蚀气体。 通过两次刻蚀，每次旋转晶片改变沟槽朝向，从而有效去除沟槽两侧壁上的副产物。 这种方法显著降低了沟槽侧壁粗糙度，并减弱了沟槽底部微凹槽缺陷，提升了晶片制造精度。
吐槽大师
吐槽大师（Roast Master） – 终极 AI 吐槽生成器，适用于 Instagram，Facebook，Twitter，Threads 和 Linkedin
26 查看详情
以上就是北方华创“形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置”专利公布的详细内容，更多请关注创想鸟其它相关文章！
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。
如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 chuangxiangniao@163.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。
发布者：程序猿，转转请注明出处：https://www.chuangxiangniao.com/p/604949.html
微信扫一扫 
支付宝扫一扫 
