青岛%ignore_a_1%微电子有限公司近日公布一项名为“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”的新专利（申请公布号：cn119133169a，申请公布日：2024年12月13日）。
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜
该专利技术应用于驱动集成电路封装领域。其核心在于一种创新的封装结构，该结构包含高电子迁移率晶体管和位于其一侧表面的多个三极管。 高电子迁移率晶体管的栅极靠近三极管一侧，而三极管的发射极则靠近高电子迁移率晶体管，并与栅极导电连接。其余电极均与相应的引脚导电连接。 这种设计巧妙地将三极管集成到高电子迁移率晶体管的封装中，在减小器件电路板占用面积的同时，有效降低了线路寄生电感。
绘蛙AI视频
绘蛙推出的AI模特视频生成工具
127 查看详情
以上就是聚能创芯“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”专利公布的详细内容，更多请关注创想鸟其它相关文章！
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。
如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 chuangxiangniao@163.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。
发布者：程序猿，转转请注明出处：https://www.chuangxiangniao.com/p/763497.html
微信扫一扫 
支付宝扫一扫 
