%ignore_a_1%半导体科技(北京)有限公司近日公布一项新型高可靠平面栅碳化硅vdmos及其制备方法专利(申请公布号:cn119421473a,申请公布日:2025年2月14日)。
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该专利技术通过在碳化硅衬底上进行一系列淀积、外延生长和刻蚀等工艺,最终形成高可靠平面栅碳化硅VDMOS器件。具体步骤包括:在衬底下侧面淀积金属形成漏极;外延生长漂移层;形成并刻蚀阻挡层,随后进行离子注入,形成均流层、体区、P型阱区和N型源区;再次形成并刻蚀阻挡层,淀积绝缘介质层;再次形成并刻蚀阻挡层,淀积栅介质层;最后形成栅极和源极金属层,并去除阻挡层,完成器件制备。此方法显著提升了器件的栅极可靠性,并降低了体二极管续流损耗和反向恢复时间。
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