上海%ignore_a_1%有限公司近日公布一项名为“一种半导体器件及其制作方法”的专利，申请公布号为cn119132952a，公布日期为2024年12月13日。
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该专利涉及一种新型半导体器件及其制造工艺。其核心在于设计了一种具有倾斜场板结构的器件。该结构通过在介质层上方形成由第一场板层和第二场板层组成的叠层场板实现。其中，第一场板层包含硅层和外围的氧化硅层，氧化硅层的一部分沿背离硅层的斜向延伸；第二场板层则由第一金属和外围的第二金属构成，第二金属的延伸方向与氧化硅层表面的延伸方向一致。这种设计巧妙地利用倾斜场板结构，在实现高电场调制能力的同时，有效提升了介质击穿电压，从而兼顾了器件的高工作性能和高可靠性。此外，该专利所述的制造工艺与现有工艺兼容，便于实际生产应用。
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