#中国科技大学
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中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
中国科学技术大学杨树教授和龙世兵教授团队在gan器件抗辐射研究方面取得重大突破，成功研制出可在高能质子辐照下保持1700v以上击穿电压和导电率调控能力的垂直型gan功率电子器件。相关研究成果已发表在ieee electron device letters期刊上，题为“kv-class vertica…
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中国科学技术大学杨树教授和龙世兵教授团队在gan器件抗辐射研究方面取得重大突破，成功研制出可在高能质子辐照下保持1700v以上击穿电压和导电率调控能力的垂直型gan功率电子器件。相关研究成果已发表在ieee electron device letters期刊上，题为“kv-class vertica…
