湖南%ign%ignore_a_1%re_a_1%近日获得一项关于“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”的实用新型专利授权(授权公告号:cn221918322u,授权公告日:2024年10月29日,申请日:2023年11月30日)。
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜

该专利技术涉及一种新型碳化硅复合籽晶及其生长装置。其核心在于籽晶的设计,它包含中间部分和边缘部分。边缘部分环绕中间部分设置,中间部分为偏轴籽晶,而边缘部分至少部分为正轴籽晶。这种设计巧妙地利用了偏轴籽晶的小平面区域作为模板,通过升华生长法复制籽晶多型体,降低了晶型转变的风险。同时,边缘区域的正轴籽晶有效解决了台阶束聚集问题,减少了堆垛层错的产生,最终降低了碳化硅晶体的缺陷率,提升了晶体质量。
ONLYOFFICE
用ONLYOFFICE管理你的网络私人办公室
1027 查看详情
以上就是三安半导体“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利获授权的详细内容,更多请关注创想鸟其它相关文章!
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。
如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 chuangxiangniao@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。
发布者:程序猿,转转请注明出处:https://www.chuangxiangniao.com/p/867018.html
微信扫一扫
支付宝扫一扫