三安半导体
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三安半导体“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利获授权
湖南三安半导体近日获得一项关于“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”的实用新型专利授权(授权公告号:cn221918322u,授权公告日:2024年10月29日,申请日:2023年11月30日)。 ☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSee%ignore_a_1%…
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