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  • 直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3

    直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3

    9月2日消息，hbm高带宽内存在ai时代愈发重要，价值不输高性能gpu本身，也是当前内存技术的制高点，目前生产主要集中在韩国sk海力士、三星及美国的美光公司手中。 国内的存储芯片企业一方面在扩增产能，一方面也在加快从DDR4到DDR5的技术升级，面对HBM内存当然也不会错过机会，韩国ZDNet Ko…

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    2025年11月25日 • 用户投稿
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  • 存储价格狂飙不止！三星将对DRAM产品涨价最高30% 用户投稿

    存储价格狂飙不止！三星将对DRAM产品涨价最高30%

    继美光宣布计划对DDR4和DDR5内存产品提价20%至30%后，三星也被曝出将在第四季度跟进涨价，预计涨幅达15%至30%。据知情人士透露，三星已向其主要客户发出通知，2025年第四季度内，DRAM产品中的LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X协议价格将上调15%以上，最高或达30%。 与此同…

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    2025年11月19日
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  • 消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进

    消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进

    三星电子启动1c nm制程dram量产设备采购，计划明年2月投入生产！据韩媒zdnet报道，三星电子近期已向泛林集团等半导体设备厂商订购下一代1c nm制程dram的量产设备，预计明年2月运抵位于韩国平泽p4工厂的首条量产线。 虽然三星尚未公开1c nm（第六代10nm级制程）DRAM的相关信息，但…

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    2025年11月10日 • 用户投稿
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  • 鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

    鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

    三星电子计划开发传统架构1e nm dram，实现内存技术多元化战略。据韩媒the bell报道，三星电子将于2028年推出采用常规结构的1e nm（第八代10纳米级）制程dram。此举旨在丰富技术储备，为未来商业化提供更多选择。 三星此前的计划是在2026年推出1d nm内存，随后于2027年推出…

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    2025年11月10日 • 用户投稿
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  • 三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

    三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

    三星电子加码存储芯片技术，在平泽二厂（p2）建设10nm第七代dram（1d dram）试验线，以提升竞争力并优化新一代产品的良率。 ☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 据悉，该试验线预计2024年第四季度开建，2025年第一季度…

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    2025年11月6日 • 用户投稿
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  • 机构：2025年HBM出货量将同比增长70%

    机构：2025年HBM出货量将同比增长70%机构：2025年HBM出货量将同比增长70%机构：2025年HBM出货量将同比增长70%机构：2025年HBM出货量将同比增长70%

    ☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 市场研究机构TechInsights最新报告预测，2025年DRAM和NAND闪存组成的存储器市场将迎来强劲增长，这主要归功于人工智能（AI）技术的快速发展及其在各领域的广泛应用。 报告指出，A…

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    2025年11月6日 • 用户投稿
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  • DRAM价格连续六月下跌，中国支持国产政策影响显著 用户投稿

    DRAM价格连续六月下跌，中国支持国产政策影响显著

    数据显示，dram价格在2月份比上月下跌了3%，这已经是连续6个月的环比下降，创下了2023年12月以来的最低水平。分析机构指出，这种下跌趋势的出现主要受到了两方面的影响，一方面是搭载dram的个人电脑和智能手机的需求疲软，另一方面则是中国持续优待本国产品的趋势。 对于大宗交易价格来说，2月份8GB…

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    2025年11月5日
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  • 缺乏消费性电子产品拉货动能，2024年Q4 NAND Flash营收季度减少6.2%

    缺乏消费性电子产品拉货动能，2024年Q4 NAND Flash营收季度减少6.2%缺乏消费性电子产品拉货动能，2024年Q4 NAND Flash营收季度减少6.2%缺乏消费性电子产品拉货动能，2024年Q4 NAND Flash营收季度减少6.2%缺乏消费性电子产品拉货动能，2024年Q4 NAND Flash营收季度减少6.2%

    trendforce最新报告显示，2024年第四季度nand flash市场价格下跌4%，出货量下降2%，整体产业营收为165.2亿美元，环比下降6.2%。消费电子产品需求疲软导致库存积压，厂商纷纷调整采购订单，引发供应链震荡。 展望2025年第一季度，尽管厂商积极减产，但传统淡季效应和终端产品备货…

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    2025年11月4日 • 用户投稿
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  • 五大NAND原厂同步减产10%~15% 存储价格Q2反弹优于预期

    五大NAND原厂同步减产10%~15% 存储价格Q2反弹优于预期五大NAND原厂同步减产10%~15% 存储价格Q2反弹优于预期五大NAND原厂同步减产10%~15% 存储价格Q2反弹优于预期五大NAND原厂同步减产10%~15% 存储价格Q2反弹优于预期

    ☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 据消息显示，2025年第二季度，全球五大NAND Flash制造商——三星、SK海力士、美光、铠侠以及西部数据，一致决定削减产量，减产比例介于10%到15%之间，旨在缓解市场上供大于求的问题。此…

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    2025年11月4日 • 用户投稿
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