dram
-
鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
三星电子计划开发传统架构1e nm dram，实现内存技术多元化战略。据韩媒the bell报道，三星电子将于2028年推出采用常规结构的1e nm（第八代10纳米级）制程dram。此举旨在丰富技术储备，为未来商业化提供更多选择。 三星此前的计划是在2026年推出1d nm内存，随后于2027年推出…
-
三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线
三星电子加码存储芯片技术，在平泽二厂（p2）建设10nm第七代dram（1d dram）试验线，以提升竞争力并优化新一代产品的良率。 ☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 据悉，该试验线预计2024年第四季度开建，2025年第一季度…
-
机构：2025年HBM出货量将同比增长70%
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 市场研究机构TechInsights最新报告预测，2025年DRAM和NAND闪存组成的存储器市场将迎来强劲增长，这主要归功于人工智能（AI）技术的快速发展及其在各领域的广泛应用。 报告指出，A…
-
DRAM价格连续六月下跌，中国支持国产政策影响显著
数据显示，dram价格在2月份比上月下跌了3%，这已经是连续6个月的环比下降，创下了2023年12月以来的最低水平。分析机构指出，这种下跌趋势的出现主要受到了两方面的影响，一方面是搭载dram的个人电脑和智能手机的需求疲软，另一方面则是中国持续优待本国产品的趋势。 对于大宗交易价格来说，2月份8GB…
-
缺乏消费性电子产品拉货动能，2024年Q4 NAND Flash营收季度减少6.2%
trendforce最新报告显示，2024年第四季度nand flash市场价格下跌4%，出货量下降2%，整体产业营收为165.2亿美元，环比下降6.2%。消费电子产品需求疲软导致库存积压，厂商纷纷调整采购订单，引发供应链震荡。 展望2025年第一季度，尽管厂商积极减产，但传统淡季效应和终端产品备货…
-
五大NAND原厂同步减产10%~15% 存储价格Q2反弹优于预期
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 据消息显示，2025年第二季度，全球五大NAND Flash制造商——三星、SK海力士、美光、铠侠以及西部数据，一致决定削减产量，减产比例介于10%到15%之间，旨在缓解市场上供大于求的问题。此…
-
三星电子改进半导体存储器设计
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 据韩国业内消息，三星电子正对旗下12纳米级DRAM芯片“D1b”进行设计升级。 “D1b”于2023年首次投入量产，广泛应用于显卡和手机DRAM领域。此次对已量产一年多的产品进行设计调整在半导体…
-
机构：2024年Q4全球DRAM市场营收突破280亿美元，环比增长10%
trendforce最新报告显示，2024年第四季度全球dram市场收入强劲增长，突破280亿美元，环比上涨近10%。 这一增长主要归功于服务器ddr5合同价上涨和hbm集中出货，带动三星、sk海力士和美光三大厂商收入持续增长。 报告指出，多数应用领域的DRAM合同价已止跌回升。 然而，美国主要云服…
-
领先三星：SK 海力士被曝推进 1c DRAM 六层 EUV 工艺
8 月 12 日消息，科技媒体 wccftech 昨日（8 月 11 日）发布博文，指出 sk 海力士（sk hynix）为提升 ddr5 与高带宽存储（hbm）产品的性能，并在先进存储技术领域保持领先，正计划在 1c dram 的量产中引入六层极紫外光（euv）工艺。 报道称，这一技术方案不仅打破…
