光刻机
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CPU的制程工艺从5nm迈向3nm，实际性能提升与价格涨幅是否成正比？
3nm相比5nm性能提升有限但成本激增，晶体管密度增70%、CPU性能提15%-25%、能效与AI算力改善明显，而台积电3nm代工涨价20%、设备研发成本飙升，高通获16%优惠涨幅、联发科承24%溢价，AI芯片商支撑高价，手机厂难转嫁成本，摩尔定律性价比红利消失。 芯片制程从5nm到3nm，性能提升…
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半导体巨头EUV光刻机数量曝光：台积电唯一过百 日本2nm公司醒目
在半导体制造领域，工艺节点越先进，对光刻设备的要求也越高。尤其是5nm及以下制程的量产，几乎完全依赖EUV（极紫外）光刻机。目前全球范围内仅有ASML能够提供此类高端设备，因此台积电、三星、Intel等头部厂商均需向其采购。 那么，在这些行业巨头中，谁掌握的EUV光刻机数量最多？调研机构BOFA发布…
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ASML 技术高级副总裁：已携手蔡司启动 5nm 分辨率 Hyper NA 光刻机开发
6 月 27 日消息，asml 技术高级副总裁 jos benschop 在接受《日经亚洲》采访时透露，公司已与光学组件独家合作伙伴蔡司共同启动了面向 5nm 分辨率的 hyper na 光刻机研发工作。 目前使用的 TWINSCAN EXE:5000 光刻系统搭载 High NA（0.55NA）光…
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尼康将于2028年推出新的ArF浸润式光刻机
☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜ 尼康剑指半导体光刻市场龙头，计划于2028财年（2028年4月-2029年3月）推出全新ArF浸润式光刻系统。此举旨在挑战ASML的市场主导地位，并与ASML设备实现兼容。 尼康在2025年2月…
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璞璘交付中国首台半导体级步进纳米压印光刻机，支持＜10nm 线宽
8 月 5 日消息，璞璘科技 prinano 近日宣布，已于 8 月 1 日成功向国内某特色工艺客户交付其自主研发的中国首台半导体级步进式纳米压印光刻（nil）系统——pl-sr。 在 PL-SR 系列设备的研发过程中，璞璘科技突破了喷墨涂胶工艺中的多项关键技术难题，实现了纳米级别的压印膜厚控制，达…
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三星启动1nm工艺研发 2029年后量产
三星抢先布局1nm芯片工艺，力争超越台积电！据报道，三星电子已启动1nm（纳米）晶圆代工工艺研发，目标于2029年后实现量产。此举旨在弥补目前在2nm工艺等方面与台积电的差距，力图实现技术反超。 ☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜…
