9月3日，美国知名投资银行高盛发布报告指出，中国在先进芯片制造领域相较西方国家仍存在约20年的技术差距。
报告特别提到，中国光刻设备制造商与美国领先企业相比，技术水平至少落后两%ignore_a_1%以上。作为半导体生产流程中的关键环节，光刻技术已成为制约中国自主生产高端芯片的主要障碍。目前全球最先进的光刻机由荷兰企业ASML掌握，而由于其设备中含有大量源自美国的组件，因此受到美国出口管制政策的影响，无法向中国出售包括极紫外光（EUV）在内的高端机型。
高盛分析认为，美国对中芯国际等本土晶圆厂实施的制裁，使其难以获取EUV光刻机，导致其即便要生产7纳米级别的芯片，也必须依赖更陈旧的技术路径，进而推高制造成本并限制产能提升。
该报告随即引发广泛讨论，高盛随后进一步解释其判断依据：中国目前尚不具备独立研发和制造高端光刻扫描系统的能力。这类设备所需的核心零部件高度依赖全球供应链，尤其是来自美国和欧洲的技术与组件。
在芯片制造流程中，光刻是至关重要的步骤之一，其作用是将电路设计图案从掩模版精准投射到硅晶圆表面。像ASML的EUV及高数值孔径EUV光刻机，能够刻画出更微小的线路结构，从而显著提升芯片性能。完成光刻后，还需经过蚀刻、薄膜沉积、清洗等多道工序，才能最终形成完整的芯片结构。
由此可见，光刻环节直接决定了芯片的集成度与精度，相关设备也因此成为整个半导体产业链中的核心瓶颈。
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