青禾晶元
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青禾晶元联合主办—2025中国国际低温键合3D集成技术研讨会邀您参与
半导体键合技术正在推动3d集成与先进封装的革命性进展！作为低温键合与键合集成领域的创新先锋，青禾晶元与日本先进微系统集成研究所（imsi）等国际权威机构合作，共同举办2025中国国际低温键合3d集成技术研讨会（ltb-3d 2025）。这一全球顶尖的学术盛会将首次在中国举办，汇聚众多国际巨头及全球专…
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基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸sic复合衬底成功实现高性能低成本1200v sic mosfet。 当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的…
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青禾晶元SEMICON时刻：展示先进键合技术中国方案
在semicon异构集成（先进封装）国际会议上，青禾晶元创始人兼董事长母凤文博士发表主题演讲，重点介绍了中国半导体企业在键合技术领域的最新突破，以及键合技术对半导体产业跨越式发展的重要推动作用。 ☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜…
